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集微網(wǎng)消息，3月14日，昆山產(chǎn)業(yè)科創(chuàng)中心建設(shè)發(fā)展大會舉行，會上5G高頻MPI材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、5G BAW濾波器等項(xiàng)目簽約。

據(jù)大公報報道，5G高頻MPI材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目由烏克蘭工程院外籍院士楊為佑領(lǐng)銜，聚焦5G關(guān)鍵材料及零部件研發(fā)，旨在開發(fā)MPI材料，以期替代被美國、日本等國壟斷的LCP（液晶高分子聚合物）材料，解決5G基站天線等領(lǐng)域關(guān)鍵材料的“卡脖子”問題。

5G BAW濾波器項(xiàng)目，依托多年來海內(nèi)外材料研發(fā)和器件產(chǎn)業(yè)化的經(jīng)驗(yàn)，研發(fā)制造BAW濾波器，通過摻雜稀土元素提升材料的壓電特性，并且對薄膜層的每層都具有均勻的敏感性，極大提升濾波性能。

據(jù)悉，3月14日是昆山確立的“祖沖之紀(jì)念日”。在此次會議上，昆山重磅發(fā)布“人才科創(chuàng)政策4.0版”，聚焦前瞻性、引領(lǐng)性、嵌鏈型人才，實(shí)施“頂尖人才雁陣”、“雙創(chuàng)人才倍增”、“產(chǎn)業(yè)人才擴(kuò)容”等五大計劃，頭雁頂尖人才最高可獲2億元支持，雙創(chuàng)高層次人才最高可獲5000萬元支持；創(chuàng)新“撥投貸”機(jī)制，經(jīng)認(rèn)定，重大創(chuàng)新平臺最高可獲3億元支持，新型研發(fā)機(jī)構(gòu)、創(chuàng)新標(biāo)桿企業(yè)最高可獲1000萬元支持。